SJ 2376-1983 ３ＣＤ６４７型ＰＮＰ硅外延平面低频大功率三极管
作者:标准资料网 时间:2024-05-10 16:29:55 浏览:8261
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基本信息
| 标准名称： | ３ＣＤ６４７型ＰＮＰ硅外延平面低频大功率三极管 |
| 英文名称： | Detail specification for silicon PNP epitaxial planar low frequency high power transistors,Type 3CD647 |
| 中标分类： | 能源、核技术 >> 能源、核技术综合 >> 技术管理 |
| 发布日期： | 1983-08-19 |
| 实施日期： | 1984-03-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 2010-01-20 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 3页 |
适用范围
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前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 能源 核技术 能源 核技术综合 技术管理
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